
플립칩 실장의 1차 언더필(UF), 패키지 실장의 2차 언더필(UF) 모두 제품의 소형화에 따라 고밀도 실장이 가속화되고 있습니다. 이에 따라 언더필(UF)제가 부착되어서는 안 되는 인접 영역이 존재하는 경우에도, 칩 단면으로부터의 젖음 확산을 억제하여 안정적으로 도포할 수 있는 '좁은 KOZ(Keep Out Zone) 대응 기술'의 중요성이 커지고 있습니다.
무사시 엔지니어링은 이러한 과제에 대응하여 KOZ 150μm 이하를 실현하는 언더필(UF)제 도포 기술을 개발했습니다.

실제로 칩 단면으로부터의 젖음 확산을 억제한 언더필(UF)제 도포를 수행했습니다.상면에서 관찰한 결과, 단면으로부터의 젖음 확산이 150μm로 억제되어 있음을 확인할 수 있습니다.

Ag 페이스트의 토출성에 맞춰 구조와 조건을 철저히 최적화함으로써 도포 직경 31μm, 도포량 5pL을 실현했습니다.
도전성 페이스트를 기판에서 칩 측면을 경유하여 칩 상면의 도통부로 배선할 수 있습니다.
Type5부터 Type8까지의 솔더 페이스트에서 100만 샷 이상의 연속 안정 도포를 실현했습니다.
본 기술을 통해 최소 φ64μm의 미세 도트 형성 및 두께 19μm의 박막 형성을 실현했습니다.
칩 간 간격 100µm, 스탠드오프 50µm라는 극히 좁은 조건에서 언더필(UF) 도포를 수행했습니다.


